PMOS3401管分為結型和絕緣柵型。PMOS3401管（JFET）因具有兩個PN結而得名，PMOS3401管因柵極和其他電極之間的完全絕緣而得名。目前，PMOS3401管是應用最廣泛的絕緣柵PMOS3401管（即金屬氧化物半導體PMOS3401管MOSFET）。此外,像這種管由于本身應用領域比較廣，所以一般在市面上的銷售數(shù)量會比較大。那么PMOS3401管的應用領域有哪些呢？

根據(jù)溝道半導體數(shù)據(jù)的不同，結型和絕緣柵型分別分為溝道和p溝道。若按導電模式劃分，F(xiàn)ET可分為耗盡型和增強型。結型PMOS3401管為耗能型，絕緣柵型PMOS3401管可以分為耗能型和增強型這兩種。PMOS3401管按照不同的功能可分為n溝道耗盡型和增強型；P-通道耗盡型和增強型。

FET的特點是南部電網(wǎng)電壓UG；控制其漏電流ID。與普通雙極晶體管相比，F(xiàn)ET具有高輸入阻抗、低噪聲、大動態(tài)范圍、低功耗和易于集成的特點。

FET的工作原理如圖4-24所示（以結型n溝道管為例）。由于連接到柵極g的負偏壓（-UG），在g附近形成耗盡層。

當負偏壓的值（-UG）增加時，耗盡層增加，溝道減小，漏電流ID減小。負偏壓值（UG）減小時，耗盡層減小，溝道變大，漏電流ID變大。可以看出，漏極電流ID是由柵極電壓控制的，因此FET是一種電壓控制器件，即通過改變輸入電壓來控制輸出電流的變化，從而達到放大的目的。

和雙極晶體管一樣，當FET用于放大和其他電路時，其柵極也應偏置。結型FET的柵極應施加反向偏置電壓，即n溝道管應加負柵極電壓，p溝道管應加正柵極爪。應向加強絕緣柵極FET施加正柵極電壓。耗盡型絕緣柵FET的柵電壓可為正、負和“0”，如表4-2所示。增加偏置的方法有恒偏置法、自補償偏置法、直接耦合法等。

FET的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但在一般應用中只需注意以下主要參數(shù)：飽和漏源電流IDSS、夾斷電壓上升、，（結型晶體管和耗盡型絕緣柵管，或on電壓UT（加強絕緣柵管），跨導GM，漏源擊穿電壓Budd，最大功耗PDSM和最大漏源電流idsm。

同時，PMOS3401管在應用過程中還需要考慮到節(jié)能以及成本等方面的因素，建議企業(yè)在應用過程中能夠做好監(jiān)管工作，定期要對應用數(shù)據(jù)進行系統(tǒng)測量。