1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題是使MOS晶體管工作在線性工作和生活狀態(tài),而不是開(kāi)關(guān)控制狀態(tài)。這也是MOS管發(fā)熱的重要原因。如果用N-MOS作為開(kāi)關(guān),G類的電壓范圍比其他電源高幾V,從而實(shí)現(xiàn)全導(dǎo)通,P-MOS則相反。電力資源消耗受不能全開(kāi)但壓降過(guò)大的企業(yè)影響。等效DC系統(tǒng)阻抗相對(duì)較大,壓降變大。損耗意味著發(fā)熱。這是我們?cè)O(shè)計(jì)和電路中忌諱的錯(cuò)誤。
2。如果頻率太高,主要原因是有時(shí)音量太高,導(dǎo)致頻率高,金屬氧化物損耗增加,所以加熱也增加。
3。沒(méi)有足夠的散熱設(shè)計(jì),電流過(guò)高。金屬氧化物半導(dǎo)體的額定電流值一般需要良好的散熱。因此,如果id小于大電流,可能是嚴(yán)重發(fā)熱,需要足夠的輔助散熱器。
4。mos晶體管選擇錯(cuò)誤,功率判斷錯(cuò)誤。對(duì)Mos晶體管內(nèi)阻考慮不足,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大。
我們經(jīng)???strong>PMOS3401晶體管的PDF參數(shù)。金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管制造商可以使用RDS(開(kāi))參數(shù)來(lái)定義開(kāi)阻抗。對(duì)于開(kāi)關(guān)技術(shù)應(yīng)用來(lái)說(shuō)。RDS(ON)也是重要的器件結(jié)構(gòu)特征。根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)的設(shè)計(jì)定義,RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS和流經(jīng)開(kāi)關(guān)的信息電流有關(guān)。但是,對(duì)于學(xué)生來(lái)說(shuō),要完全控制和驅(qū)動(dòng)閘門。RDS(ON)是企業(yè)相對(duì)靜態(tài)的模型參數(shù)。一直開(kāi)著的MOS管容易發(fā)熱。
PMOS3401由于器件邏輯擺幅大、充放電過(guò)程長(zhǎng)、跨導(dǎo)小,工作速度較低。NMOS賽道出現(xiàn)后,大部分都被NMOS賽道取代。但由于PMOS3401電路工藝簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉,一些中小規(guī)模的數(shù)字控制電路仍然采用PMOS電路技術(shù)。
一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管有三個(gè)引腳。通常是G、D和S。當(dāng)控制信號(hào)施加在G和S之間時(shí),D和S之間的開(kāi)和關(guān)可以改變。PMOS3401和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全相似,但不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)。NMOS是在P型硅襯底上選擇性摻雜形成的N型摻雜區(qū)。用作NMOS的源漏區(qū)。PMOS是通過(guò)選擇性摻雜在N型硅襯底上形成P型摻雜區(qū),作為PMOS3401/的源漏區(qū)。