PMOS3401管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

PMOS3401管的場效應(yīng)管（FET），把輸入工作電壓的變化轉(zhuǎn)化為一個(gè)輸出控制電流的變化。FET的增益大于等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出信號電流的變化和輸入系統(tǒng)電壓發(fā)生變化影響之比。市面上我們常有的一般為N溝道和P溝道，詳情可以參考信息右側(cè)進(jìn)行圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。

PMOS3401管場效應(yīng)管通過投影是怎樣？

一個(gè)通過電場在一個(gè)具有絕緣層上來分析影響我們流過晶體管的電流。事實(shí)上企業(yè)沒有工作電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流進(jìn)行非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種傳統(tǒng)晶體管技術(shù)稱為中國金屬復(fù)合氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或,金屬表面氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以對于他們學(xué)習(xí)已經(jīng)在我國很多學(xué)生應(yīng)用不同場合取代了雙極型晶體管。

PMOS3401管其發(fā)熱情況有:

1.電路進(jìn)行設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作生活狀態(tài)，而不是在開關(guān)控制狀態(tài)。這也是可以導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)重要原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓范圍要比其他電源高幾V，才能實(shí)現(xiàn)完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有得到完全能夠打開而壓降過大企業(yè)造成影響功率資源消耗，等效直流系統(tǒng)阻抗比較大，壓降變大，所以U*I也變大，損耗就意味著發(fā)熱。這是我們設(shè)計(jì)以及電路的忌諱的錯(cuò)誤。

2。頻率過高，主要是有時(shí)追求音量過大，導(dǎo)致頻率過高，金屬氧化物損耗增加，因此加熱也增加。

3。沒有足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流過高，金屬氧化物半導(dǎo)體額定電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以 id 小于大電流，也可能是嚴(yán)重發(fā)熱，需要有足夠的輔助散熱器。

4。Mos 晶體管的選型錯(cuò)誤，功率判斷錯(cuò)誤，沒有充分考慮 mos 晶體管的內(nèi)阻，導(dǎo)致開關(guān)阻抗變大。

我們經(jīng)?？碢MOS3401管的PDF參數(shù)，MOS管制造商可以采用RDS（ON）參數(shù)來進(jìn)行定義導(dǎo)通阻抗，對開關(guān)技術(shù)應(yīng)用方面來說，RDS（ON）也是重要的器件結(jié)構(gòu)特性。數(shù)據(jù)管理手冊設(shè)計(jì)定義RDS（ON）與柵極（或驅(qū)動）電壓VGS以及信息流經(jīng)開關(guān)的電流通過有關(guān)，但對于學(xué)生充分的柵極控制驅(qū)動，RDS（ON）是一個(gè)企業(yè)相對比較靜態(tài)模型參數(shù)。一直都是處于導(dǎo)通的MOS管很容易出現(xiàn)發(fā)熱。