PMOS3401管的主要參數是什么？

1.PMOS3401管的開啟電壓VT

導通電壓(也稱閾值電壓):開始在源極S和漏極D之間形成導電溝道所需的柵極電壓；

標準的N溝道MOS管，VT約為3~6V;·通過生產工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. PMOS3401管的直流輸入電阻RGS

施加在柵極源之間的電壓與柵極電流之比

這個特性有時由流經柵極的柵極電流來表示。

MOS管的RGS可以很容易地進行超過1010Ω。

3. PMOS3401管的泄漏源擊穿電壓

在 vgs = 0(enhanced)的條件下，在增加漏源極電壓的過程中，導致漏源極電壓急劇增加的 vds 稱為漏源極擊穿電壓

ID急劇增加有兩個原因:

（1）漏極附近形成耗盡層的雪崩發(fā)生擊穿

(2)排水源之間的故障

在某些 mos 晶體管中，溝道長度相對較短，增加 vds 會使漏區(qū)的耗盡層一直延伸到源區(qū)，使溝道長度為零，直接被耗盡層的電場吸引到漏區(qū)，產生較大的 id

4.PMOS3401管的柵源擊穿電壓BVGS

在增加柵源電壓進行過程中，使柵極控制電流IG由零開始發(fā)展劇增時的VGS，稱為柵源擊穿產生電壓BVGS。

5. PMOS3401管的低頻跨導gm

在VDS為某一企業(yè)固定資產數值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起我們這個發(fā)展變化的柵源電壓微變量之比可以稱為跨導

Gm 反映了柵源極電壓對漏極電流的控制能力，是表征 mos 管放大能力的一個重要參數

通常在十分之幾到幾毫安的范圍內。

6. PMOS3401管的導通電阻RON

導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性研究某一點切線的斜率的倒數

在飽和區(qū)，ID幾乎一個不隨VDS改變，RON的數值可以很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

在數字電路中，mos 晶體管通常在 vds = 0時工作，所以導通電阻 ron 可以被 ron 在原點近似

對于一般的MOS晶體管，RON在幾百歐姆以內。

7. PMOS3401管的極間電容

三個不同電極材料之間都存在著極間電容:柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CGS和CGD約為1~3pF，CDS約在0.1~1pF之間

8. PMOS3401管的低頻噪聲系數NF

噪音是由管內載流子運動的不規(guī)則引起的。由于它的存在，一個放大器即使沒有信號輸入，輸出也會出現不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲的性能通常用噪聲系數NF來表示，單位為分貝(dB)。數值越小，管道產生的噪音越小。

低頻噪聲影響系數是在低頻范圍內可以測出的噪聲相關系數

場效應晶體管的噪聲系數為幾分貝，低于雙極性晶體管。