NMOS3400管具有以下特性:

(1)場效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，通過柵源電壓(VGS)控制漏電流。

(FET的輸入電流很小，所以輸入電阻很大。

(3)它用大部分載流子導(dǎo)電，所以溫度穩(wěn)定性好。

(4)配置放大器電路的電壓放大系數(shù)小于晶體管配置放大器電路的電壓放大系數(shù)。

(5)場效應(yīng)管具有很強(qiáng)的輻射防護(hù)能力。

(6)無隨機(jī)運動的退磁擴(kuò)散引起的散射噪聲低。

NMOS3400管道的主要參數(shù)是什么？

直流參數(shù)

飽和漏電流IDSS可以定義為柵極和源極之間的電壓為零。漏極和源極之間的電壓大于箝位電壓時對應(yīng)的漏電流。

箝位電壓UP可以定義為UDS在一段時間內(nèi)將ID降低到小電流所需的UGS。

UT的電壓開通UDS可以定義為使ID在一定時間內(nèi)達(dá)到值所需的UGS。

交流參數(shù)

低頻交越GM可以控制柵源電壓漏電流。

電容間場效應(yīng)晶體管中三個電極之間的電容(電容)越小。管道的性能越好。

極限參數(shù)

漏電流和源擊穿電壓當(dāng)漏電流急劇上升時。雪崩被破壞時會發(fā)生UDS。

當(dāng)柵極擊穿電壓結(jié)型FET正常工作時。柵極和源極之間的PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)。電流過高會出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。

產(chǎn)品特性

(1)傳輸特性:柵極電壓對漏電流的控制作用稱為傳輸特性。

(2)輸出特性:UDS和ID的關(guān)系稱為輸出特性。

(3)結(jié)型場效應(yīng)管的放大:結(jié)型場效應(yīng)管的放大一般指電壓放大。

NMOS3400管道的電氣特性是什么？

場效應(yīng)晶體管和晶體管電氣特性的主要區(qū)別如下:

貼片場效應(yīng)晶體管

1.場效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，其導(dǎo)電性取決于柵極電壓。晶體管是一種電流控制器件。管道的電導(dǎo)率取決于基極電流的大小。2.場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵壓UGS為參考變量。晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib為參考變量。

3.FET電流IDS和柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm決定。晶體管電流Ic和Ib之間的關(guān)系由放大因子決定。也就是說，場效應(yīng)管的放大能力用GM來衡量，晶體管的放大能力用Gm來衡量。4.場效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流很小。晶體管的輸入阻抗很小，導(dǎo)通時輸入電流很大。

5.一般場效應(yīng)晶體管功率小，晶體管功率大。