NMOS3400管通常稱為場效應(yīng)管，是應(yīng)用場效應(yīng)管原理的半導(dǎo)體裝置。與普通雙極晶體管相比，具有輸入阻抗高、噪音低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成的功能，得到了越來越廣泛的應(yīng)用。

　　場效應(yīng)管的多樣性主要分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管兩大類，有N通道和P通道點。

　　絕緣柵場效應(yīng)管也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOS  fet  effect  tube)，分為耗盡的MOS管和增強的MOS管。

　　Fet有單澆口管和雙澆口管。雙柵極fet有兩個獨立的柵極G1和G2，從結(jié)構(gòu)上看，由兩個單柵極fet連接，輸出電流的變化由兩個柵極電壓控制。雙門fet的這些功能在用作高頻放大器、增益控制放大器、混頻器和解調(diào)器時非常方便。

　　NMOS3400管的類型和結(jié)構(gòu)是什么？

　　MOSJFET管道是FET的一種，可以制成強化型或微小型、P溝或N溝4種類型，但理論上只適用于增強的N溝MOS管道和增強的P溝MOS管道，因此一般提及NMOS或PMOS有兩種。(阿爾伯特愛因斯坦，Northern  Exposure(美國電視電視劇)，Northern  Exposure(美國電視電視劇)，成功)至于為什么不使用枯竭型MOS管，建議不要刨根問底。對于這兩個增強的MOS管，NMOS更常用。原因是傳導(dǎo)電阻小，容易制造。所以開關(guān)電源和電動機驅(qū)動應(yīng)用程序通常使用NMOS。下面的介紹中也大部分以NMOS為主。MOS管的三個針腳之間有寄生電容。這不是我們的要求，而是制造過程限制造成的。寄生電容器的存在使設(shè)計或選擇驅(qū)動電路時更容易，但沒有辦法避免，后面詳細介紹。(威廉莎士比亞，寄生，寄生，寄生，寄生，寄生)從MOS管結(jié)構(gòu)圖可以看出，泄漏極和源極之間存在寄生二極管。這叫切二極管，對驅(qū)動理性負荷來說，這個二極管很重要。順便說一下，體二極管只存在于單個MOS管中，集成電路芯片內(nèi)部一般不存在。

　　NMOS3400管的特性是什么？

　　通道的意義就像用開關(guān)關(guān)掉開關(guān)一樣。NMOS的特性是，如果Vgs大于特定值，則適合源極接地(低端驅(qū)動器)，柵極電壓達到4V或10V即可。由于PMOS的特性，如果Vgs小于特定值，源極將引導(dǎo)到適合驅(qū)動器(VCC)的狀態(tài)。但是，PMOS很容易用作驅(qū)動器，但由于電阻大、價格貴、交流種類少等原因，驅(qū)動器通常使用NMOS。