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淺談NMOS3400管的主要參數(shù)

欄目:行業(yè)動態(tài) 發(fā)布時間:2021-10-18

NMOS3400管的應(yīng)用領(lǐng)域是什么?

  NMOS3400管產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,步進電機驅(qū)動,鉆孔工具,產(chǎn)業(yè)開關(guān)電源新能源領(lǐng)域,光伏逆變器,充電文件,無人機運輸領(lǐng)域,車輛逆變器,汽車HID穩(wěn)定器,電動自行車綠色照明領(lǐng)域,CCFL節(jié)能燈,LED照明電源,金屬鹵化物燈穩(wěn)定器。

  與雙極晶體管相比,MOS管驅(qū)動通常被認為通過不需要MOS管的電流,GS電壓高于一定值即可。這很容易做到,但我們?nèi)匀恍枰俣?。從MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,GS、GD之間有寄生電容,MOS管的驅(qū)動理論上是給電容充電。電容的充電需要電流。充電電容的瞬間可以把電容看作短路,所以瞬間電流會更大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動器時,首先要注意的是能夠提供瞬間短路電流的大小。其次,通常用于驅(qū)動NMOS,誘導(dǎo)時柵極電壓必須大于源極電壓。驅(qū)動MOS管的源極電壓與泄漏電壓(VCC)相同,因此柵極電壓比VCC大4V或10V。假設(shè)要在同一系統(tǒng)中獲得比VCC更大的電壓,需要特別的升壓電路。許多電動機驅(qū)動器都集成了電荷泵。請注意,為了獲得足夠的短路電流來驅(qū)動MOS管道,必須選擇適當?shù)耐獠侩娙萜鳌I鲜?V或10V是常用MOS管道的傳導(dǎo)電壓,設(shè)計時當然需要一些余量。而且,電壓越高,傳導(dǎo)速度越快,傳導(dǎo)阻力也越小。平時傳導(dǎo)電壓更小的MOS在很多領(lǐng)域工作,但在12V汽車電子系統(tǒng)中,普通的4V桶就足夠了。

  NMOS3400管的主要參數(shù)如下:

  1.柵極源擊穿電壓BVGS-當柵極源電壓增加時,柵極電流IG從零開始猛增時,VGS被稱為柵極源擊穿電壓BVGS。

  2.開電壓VT-開電壓(也稱為閾值電壓):啟動在源極S和泄漏D之間配置導(dǎo)電溝所需的柵極電壓。-標準N通道Moss管,VT約3 ~ 6v-改善將MOS管的VT值降低到2 ~ 3v的過程。

  3.泄漏源屈服電壓BVDS- VGS=0(強化)條件下,在增加泄漏源電壓的同時,ID猛增的VDS,泄漏源屈服電壓BVDS-ID猛增的原因有兩個:

  (1)泄漏極左側(cè)近枯竭層雪崩破壞

  (2)泄漏源極間穿透-在某些MOS管中,通道長度短,隨著VDS的增加,漏水區(qū)域的貧化層有時會延伸到源區(qū)域,因此通道長度為零。也就是說,泄漏源之間發(fā)生通過,通過后,源區(qū)域的大部分載流子將直接承受枯竭層電場的吸收,到達泄漏區(qū)域。直流輸入電阻RGS,即澆口源極之間添加的電壓與澆口電流的比率-此特性有時表示為通過澆口的澆口流。-MOS管的RGS很容易超過1010。

  低頻跨導(dǎo)gm- VDS是一定的數(shù)字時,引起這種變化的柵極源電壓微變量的比率稱為跨導(dǎo)-gm。柵極源電壓反映了對泄漏電流的控制能力。這是指示MOS管放大功能的重要參數(shù)。通常在幾mA/V的范圍內(nèi)。