電子電路中經(jīng)常出現(xiàn)MOS管和IGBT管，都可以作為開(kāi)關(guān)元件使用，MOS管和IGBT管的外形和特性參數(shù)也相似，為什么有些電路使用MOS管?還有部分電路使用IGBT管嗎?現(xiàn)在，讓我們來(lái)了解一下MOS管和IGBT管的區(qū)別!

什么是MOS管道?

場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型：結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)。

MOS管是MOSFET，中文全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，因此也稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

MOSFET可分為N家枯竭類型和增強(qiáng)。P溝槽枯竭類型和增強(qiáng)的四個(gè)主要類別。

一些MOSFET內(nèi)部有二極管，即體二極管、寄生二極管和二流二極管。

關(guān)于寄生二極管的作用有兩種解釋。

1、MOSFET寄生二極管在防止VDD超壓的情況下起到燃燒MOS管的作用。這是因?yàn)?，在超壓?duì)MOS管造成損傷之前，二極管首先反向穿透，將高電流直接降至地面，防止MOS管燃燒。

2.防止MOS管道的源極和泄漏發(fā)生反接觸時(shí)燃燒MOS管道，或者在電路有反感應(yīng)電壓時(shí)提供反感應(yīng)電壓的路徑，防止反感應(yīng)電壓擊穿MOS管道。

MOSFET具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，可在電路中用于放大器、電子開(kāi)關(guān)等用途。

IGBT是什么?

IGBT作為一種新型電子半導(dǎo)體裝置，在輸入阻抗高、電壓控制功耗低、控制電路簡(jiǎn)單、耐壓強(qiáng)、電流大等多種電子電路中得到廣泛應(yīng)用。

IGBT的電路符號(hào)到目前為止還沒(méi)有統(tǒng)一。繪制原理圖時(shí)，通常借用三極管、MOS管道的符號(hào)。此時(shí)，您可以在原理圖上顯示的模型中確認(rèn)是IGBT還是MOS管道。

IGBT內(nèi)部的體二極管不是寄生，而是專門為保護(hù)IGBT脆弱的逆內(nèi)壓而設(shè)置的，也稱為速流二極管(FWD)。

判斷IGBT內(nèi)部是否有體二極管也不難。用萬(wàn)用表可以測(cè)量IGBT的C極和E極。如果IGBT好，C，E極的電阻值被測(cè)定為無(wú)窮大，那么IGBT就沒(méi)有體二極管。

IGBT適用于交流電機(jī)、逆變器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域。

MOS tube和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：

IGBT是通過(guò)在MOSFET的泄漏中添加層來(lái)構(gòu)造的。